Bên cạnh chip Snapdragon 835,ủaQualcommgiúpsạcpinchỉtrongphúsoi kèo 88 Qualcomm cũng giới thiệu công nghệ sạc nhanh thế hệ mới của hãng với tên gọi Quick Charge 4. Công nghệ này sẽ được phát hành vào nửa cuối năm sau (2017). Quick Charge 4 sẽ cung cấp 5 tiếng dùng pin chỉ sau 5 phút sạc, theo lời Everett Roach, Giám đốc cấp cao bộ phận quản lý sản phẩm của Qualcomm cho biết tại sự kiện Snapdragon Tech Summit. Công nghệ sạc nhanh này, tất nhiên, sẽ được tích hợp trong thế hệ chip di động mới của Qualcomm, bao gồm Snapdragon 835 vừa ra mắt. Cũng theo đại diện của hãng thiết kế chip, một khảo sát của Qualcomm cho thấy sạc nhanh là ưu tiên hàng đầu của 61% người mua điện thoại. 

Quick Charge sử dụng một thuật toán mà Qualcomm gọi là Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV), có chức năng quản lý lượng năng lượng thiết bị của bạn yêu cầu qua cáp sạc. Quick Charge 4 được bổ sung khả năng quản lý nhiệt để đảm bảo rằng điện thoại hay tablet của bạn không bị quá nóng khi sạc, một lỗi "chết người" đã khiến chiếc Galaxy Note 7 của Samsung gặp thảm hoạ bị thu hồi trên toàn cầu. 

Roach cho biết, đảm bảo an toàn là một mối quan tâm lớn của Qualcomm. Ổ điện, sạc tường (wall charger), và các thiết bị khác dùng Quick Charge 4 sẽ có các công nghệ bảo vệ để ngăn tình trạng quá tải hay quá nóng. Các smartphone dùng chip Snapdragon 835 sẽ có 3 lớp bảo vệ đối với nguồn điện và điện áp, cùng 4 lớp bảo vệ để ngăn máy quá nóng. Vi xử lý này cũng giúp quản lý thời lượng pin để tăng thời gian dùng pin cho người dùng.